PlasmaPro 800 为大批量晶圆和 300mm 晶圆的等离子增强化学气相沉积 （PECVD） 工艺提供了灵活的解决方案，它采用了紧凑的开放式装载系统。可实现大型晶圆大规模的批量生产和 300mm 晶圆处理。

设计PECVD工艺模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、应力、电学特性和湿法化学刻蚀速率的前提下，生产均匀性好且沉积速率高的薄膜。 PlasmaPro 100 PECVD 由于电极温度均匀性和电极中的喷淋头设计，可提供出色的保形沉积和低颗粒生成，允许射频能量产生等离子体。等离子体的高能反应性物质提供高沉积速率，以达到所需的基板厚度，同时保持低压。其双频 13.56MHz 和 100KHz 功率应

AE物理气相沉积平台Nexdep PVD在经济性和多功能性之间取得了平衡。它可以配备强大的工艺增强功能，而不会占用实验室的所有空间或预算。您的研究目标、生产需求和/或应用最终目标将告知如何装备您的 Nexdep PVD 平台。

该ICPCVD工艺模块设计用于在低生长温度下生产高质量的薄膜，通过高密度远程等离子体实现，从而实现优秀的薄膜质量，同时减少基板损伤。

凭借在蚀刻GaN，SiC和蓝宝石等材料方面的丰富经验，我们的技术既能够满足性价比的要求、又能使器件的性能得到更优化。 PlasmaPro 100 Polaris单晶圆刻蚀系统为得到更为精细的刻蚀效果提供了智能解决方案，使您在行业中能保持竞争优势。

PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE系统利用高密度电感耦合等离子体实现快速刻蚀速率。该工艺模块可提供出色的均匀性、高吞吐量、高精度和低损伤工艺，适用于最大尺寸为200毫米的晶圆，支持包括GaAs和InP激光光电子、SiC和GaN电力电子/射频以及MEMS和传感器在内的多个市场领域。