详细介绍 Seehund® A型气相分解金属沾污收集设备（VPD）是专为集成电路制造、大晶圆生产及再生、先导工艺研发等行业提供金属沾污控制方案的产品。由于目前的晶圆制造产业对金属沾污控制的要求已经远远低于TXRF和ICP-MS能够测量的极限，需要采用VPD对晶圆表面沾污做富集，才能突破检测灵敏度极限，满足晶圆产线的需求。该设备采用了12英寸及8英寸产线设备所通用的国际标准零部件，符合SEMI的设计

详细介绍 Shale® A系列等离子体增强化学气相沉积设备（PECVD），通过平行电容板电场放电产生等离子体，可以在400℃及以下沉积比较致密、均匀性较好的氧化硅、TEOS、BPSG、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅、非晶碳、非晶碳化硅等薄膜。该设备采用了8英寸产线设备所通用的国际标准零部件，符合SEMI的设计标准，并通过了严苛的稳定性和可靠性测试验证。

Shale® C系列电感耦合等离子体化学气相沉积设备（ICP-CVD），通过电感耦合（ICP）产生高密度等离子体，并通过电容耦合（CCP）产生偏压，可实现低温、高致密、低损伤、优填充能力的薄膜沉积工艺。该设备采用了8英寸产线设备所通用的国际标准零部件，符合SEMI的设计标准，并通过了严苛的稳定性和可靠性测试验证。

详细介绍 CCP腔室适用于制造微纳结构的等离子刻蚀技术。在反应离子刻蚀过程中，等离子体中会包含大量的活性粒子，与表面原子产生化学反应，生成可挥发产物后，随真空抽气系统排出。鲁汶仪器的 Haasrode® Avior® A 在性价比和空间利用率上优点突出，可提供各种不同材料的刻蚀解决方案。

Pishow® D 系列深刻蚀设备，是针对8英寸~6英寸产线或科研深硅刻蚀工艺的专用设备，拥有自主开发的优化设计，保证了优异的刻蚀精度控制和损伤控制。 提供Si Bosch工艺的解决方案。 该设备高性价比的解决方案和优秀的空间利用率，可帮助不同客户实现产能升级。

详细介绍 ICP是一种加工微纳结构的8英寸电感耦合等离子体刻蚀设备。具有刻蚀快、选择比高、各项异性高、刻蚀损伤小、均匀性好、断面轮廓可控性高、刻蚀表面平整度高等优点。目前被广泛应用于Si、SiO2、SiNx、金属、III-V族化合物等材料的刻蚀。可应用于大规模集成电路、MEMS、光波导、光电子器件等领域中各种微结构的制作。