Kessel™ Pishow® M 金属刻蚀设备为可用于8英寸的IC产线铝金属工艺的量产型机台，基于自有开发的优化设计，保证了优异的刻蚀均匀性（片内8%，片间5%）和颗粒控制。在4微米厚铝刻蚀工艺中，可以提供8000片/月的产能。 该设备高性价比的解决方案和优秀的空间利用率，可为客户产能升级提供帮助。

Tebaank® Pishow® P 硅刻蚀设备是面向8英寸集成电路制造的量产型设备 设备由电感耦合等离子体刻蚀腔（ICP etch chamber）以及传输模块（transfer module）构成 适用于0.11微米及其它技术代的多晶硅栅（poly gate）、侧墙（spacer）、浅沟槽隔离（STI）工艺

Herent® Chimera® M 金属刻蚀设备，为针对12英寸IC产业0.18微米以下后道高密度铝导线互连工艺所开发的专用产品， 同时也可应用于铝垫（Al pad）刻蚀。该设备承袭了 Chimera® A 的先进设计理念，具有出色的均匀性调控手段， 可以为客户提供高性价比的解决方案。

Herent® Chimera® A 金属硬掩膜刻蚀设备，为针对 12 英寸 IC 产业的后道铜互连中氮化钛（TiN）金属硬掩膜刻蚀（metal hardmask open） 这一重复道次高的工艺所开发的专用产品，以满足 12 英寸产线的各种硬质掩膜刻蚀需求。此外，Chimera® A 硬掩模刻蚀腔可作为 LMEC-300™ 设备的选配模块，实现从金属硬掩模刻蚀到器件功能层刻蚀的一体化工艺。

Ganister™ A离子束沉积设备，是针对低温、高致密、高均匀性薄膜沉积工艺所开发的专用产品，在硬盘磁头、硬磁偏置层、布拉格反射镜等器件的制备中有着重要的应用。该设备采用溅射成膜，靶材选择范围广。而其采用的四槽旋转靶材基座，更可处理多达四种靶材。选配的辅助离子源，可以实现原位预清洗、优化膜层致密性等功能。此外，Ganister™ A的辅助离子源也可进行离子束刻蚀，一个腔室内兼备两种工艺，显著提高

Lorem® A 系列常规 IBS 设备，由离子源栅极引出正离子并加速，中性束流撞击样品表面，溅射形成刻蚀图像。由于等离子体的产生远离晶圆空间，起辉不受非挥发性副产物的影响。这种物理方案，几乎可以用来刻蚀任何固体材料，包括金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体等。栅网拉出的离子束的能量和密度可以独立控制，提升了工艺可控性；载片台的角度可调整，实现离子束倾斜入射，可用于特殊图案的刻蚀，