Pangea®A系列常规IBS设备由离子源栅极引出正离子并加速，中性束流撞击样品表面，溅射形成刻蚀图像。由于等离子体的产生远离晶圆空间，起辉不受非挥发性副产物的影响。这种物理方案，几乎可以用来刻蚀任何固体材料，包括金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体等。栅网拉出的离子束的能量和密度可以独立控制，提升了工艺可控性；载片台的角度可调整，实现离子束倾斜入射，可用于特殊图案的刻蚀，也适用于

LMEC-300™ 是鲁汶仪器针对特种金属膜层刻蚀而推出的 12 英寸集成设备，应用于新兴存储器件的制备。此类器件的核心功能单元含有成分复杂的金属叠层，例如磁存储器的磁隧道节（MTJ）、相变存储器中的合金相变层、阻变存储器中的阻变叠层。其副产物不易挥发，图形化挑战很大。 LMEC-300™ 反应离子刻蚀与离子束刻蚀协同工艺，可规避 RIE 路径的侧壁沾污问题，也可突破 IBS 路径的工艺线宽局

满足半导体制造中湿法刻蚀工艺，单片加工，适用于SiO2，SiN，Polysilicon和各种金属层的刻蚀，清洗等工艺流程。

用于封装领域中的光阻去除工艺，掩膜版清洗，OLED 领域中的光阻去除及蒸镀后金属剥离等工艺及化合物半导体领域中的光阻去除及蒸镀后金属剥离等工艺

用于先进封装工艺过程中的晶圆去胶制程和金属剥离制程。设备可搭载槽式浸泡单元、高压喷淋或二流体喷淋去胶单元、清洗及干燥单元等工艺模块，满足各种品牌型号、各种厚度的正负性光阻去除及金属剥离等工艺。具有药液回收循环过滤再使用、金属高效率回收等功能。

适用于半导体及LED芯片制造领域中的光刻胶去除、金属剥离等工艺制程。