RIE-802BCT深硅刻蚀设备是采用电感耦合等离子体作为放电形式的两个反应室的量产用硅深孔系统。标准配置有空气盒和晶圆边缘保护环，以及高精度的晶圆对准器。该高性能系统能够进行高长宽比加工（超过100）和低扇形加工，同时保持高蚀刻率和抗蚀剂选择率。

PD-100ST是一种用于研发的低温(80 ~ 400°C)、高速(300 nm/min)等离子体增强CVD系统。Samco的液态源CVD系统采用自偏置沉积技术和液态TEOS源，以低应力沉积SiO2薄膜，从薄膜到厚的薄膜（高达100 µm）。PD-100ST具有时尚、紧凑的设计，只需要小的洁净室空间。

PD-330STC是一种低温(80 ~ 400°C)、高速(300 nm/min)的等离子体增强CVD系统，可用于大规模生产。Samco的液态源CVD系统采用自偏置沉积技术和液态TEOS源，以低应力沉积SiO2薄膜，从薄膜到厚的薄膜（高达100 µm）。该系统通过采用大气盒装载和ø300毫米晶圆的优良工艺均匀性，实现了高产量。

PD-270STLC是一种低温(80 ~ 400°C)、高速(300 nm/min)的等离子体增强CVD系统，可用于大规模生产。Samco的液态源CVD系统采用自偏置沉积技术和液态TEOS源，以低应力沉积SiO2薄膜，从薄膜到厚的薄膜（高达100 µm）。该系统通过采用大气盒装载和ø236毫米的托架实现了高产量，可安装三个ø4英寸的晶圆。

PD-200STL是一种用于研发的低温(80~400℃)、高速(300nm/min)等离子体增强型CVD系统。Samco的液态源CVD系统采用自偏置沉积技术和液态TEOS源，以低应力沉积SiO2薄膜，从薄膜到厚的薄膜（高达100μm）。PD-200STL具有时尚、紧凑的设计，只需要小的洁净室空间。

PD-220N是用于沉积各种硅薄膜（SiO2、Si3N4等）的等离子体CVD系统。 PD-220N在提供薄膜沉积所需的全部功能的同时，占地面积比本公司的传统系统小40%。 从研究到半大规模生产，它的应用范围很广。