GSE C200 多功能刻蚀机等离子体源设计，保证良好的刻蚀均匀性.GSE C200采用高密度等离子体源，刻蚀速率高、均匀性好、颗粒控制能力强、易维护、性能稳定。其在硅、氧化硅、氮化硅、氮化镓、砷化镓、磷化铟、铌酸锂、金属、有机物等多种材料的刻蚀上性能优良。本刻蚀机已进入多家IC Fab主流产线以及化合物等新兴应用量产产线，具有快速导产能力，同时针对大学、科研院所提供高性价比配置。

MARS iCE120 多片碳化硅外延系统，产能大，6 英寸运营成本低,薄膜和厚膜外延兼容，工艺稳定性高。

MARS iCE115碳化硅外延系统主要用于4、6英寸SiC外延工艺。采用水平热壁式技术路线，应用先进的控温、控压算法和专业的进气、混流结构，使得整个外延工艺过程中热场和气流场均匀稳定。工艺指标如厚度均匀性、掺杂浓度均匀性、缺陷密度等均达到了行业先进水平。

Satur系列 多片式MOCVD系统，优异的均匀性、一致性、稳定性控制，MOCVD 即金属有机物化学气相沉积，是一种用于生长化合物半导体薄膜的技术。它通过将Ⅲ族元素的有机化合物和氨气或氧气等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。

Hesper I E430R 12英寸单片减压硅外延系统，优异的气流场和加热场设计提供优良的工艺性能。

Hesper E230A 12英寸单片常压硅外延系统，优异的气流场和加热场设计提供优良的工艺性能。