分子束外延薄膜沉积系统MBE 是在超高真空系统中把所需要的结晶材料放入到喷射炉中，将喷射炉加热。使结晶材料形成分子束，从炉中喷出后，沉积在高温的单晶基片上。如果设置几个喷射炉，就可以制取多元半导体混晶，又可以同时进行掺杂。可以精确地控制结晶生长，进行沉积系统中结晶生长过程的研究。

MOCVD设备是通过将反应物质以有机金属化合物气体分子的形式，经载带气体送到反应室，进行热分解反应而生长出薄膜材料。应用方向：Ga2O3,GaN, InP, GaAs, InSb, GaInNAs, II-VI等。

提供深硅蚀刻（DSiE）领域的MEMS，封装和纳米技术的广泛应用，从光滑侧壁工艺到高刻蚀速率腔刻蚀、高深宽比工艺和锥形通孔刻蚀，不需要更换腔室硬件就可以实现。

离子束刻蚀系统IBE 的灵活性、均匀性俱佳且应用范围广。我们的设备具有灵活的硬件选项，包括直开式、单衬底传送模式和盒式对盒式模式。系统配置与实际应用紧密协调，以确保获得速率更快且重复性更好的工艺结果。

在喷涂法中，喷嘴将要涂抹的溶液喷在晶圆上。经过优化后的晶圆上方喷嘴移动路径可以实现在衬底上均匀的涂层。 喷涂所用的液体通常粘度极低，以确保形成细小的液滴

可为多种材料提供各向异性干法刻蚀工艺，兼容200mm以下所有尺寸的晶圆，快速更换到不同尺寸的晶圆工艺，电极的适用温度范围宽，-150°C至400°C。