GAMA系列6/8英寸全自动槽式清洗机满足全部湿法工艺需求，覆盖RCA、PR Strip、Solvent、Wet Etch等应用，可用于典型0.35um、0.18um工艺节点，可支持90nm工艺节点，可兼容6寸和8寸晶圆。

12英寸立式中高温氧化炉THEORIS X302H主要用于12英寸1000℃-1200℃高温和超高温氧化和退火工艺。该机台为立式单腔炉管系统，工艺处理过程实现了高度自动化。系统主要由传输模块、工艺模块、电源柜等部分组成。THEORIS X302P主要用于12英寸600℃-1000℃氧化及退火工艺。该机台为立式单腔炉管系统，工艺处理过程实现了高度自动化系统主要由传输模块、工艺模块、电源柜等部分组成。

12英寸槽式清洗设备Pinnacle300平台适用于集成电路、功率半导体、衬底材料、硅基微显示领域的清洗工艺。该机台主要由传输模块、工艺模块、药液供给系统、电源柜等组成。传输模块将晶圆传送到位置，可同时传送50片，工艺模块用于清洗和蚀刻，药液供给模块用于高精度药液配比、加热、供给、浓度监测。

Kronos垂直梯度凝固法系统，用以解决基本工艺问题。该系统的高工作压力意味着，即使其组分具有高蒸气压的材料也可以结晶。该系统可在10-40巴的压力范围内用于不同化合物半导体的结晶。这种方法支持晶体的工业化生产，例如砷化镓（GaAs）的工业化生产可以通过在最大10巴压力的标准版设备实现，而磷化铟（InP）的生产可以在最大40巴压力的标准版设备中实现。

SiCma系统专为通过物理气相传输系统（PVT）的方式生产碳化硅晶体而开发。在此过程中，粉末状的原材料在高温下被加热和升华，最后沉积在特定准备的基片上。这项工艺将通过使用一个感应线圈在千赫兹范围内完成加热。随着全球工业领域环保意识的提高，PVA TePla也紧跟时代步伐，通过对该感应线圈进行优化设计以实现低能源消耗。

SR110区熔法硅芯炉的工作方式与区熔系统类似。该系统使用一个在高频感应线圈下直径为100毫米的多晶硅棒（源棒）。根据硅棒的长度，在多个拉动工艺中可以产生特定数量的硅芯；然后这些硅芯被用作西门子下游工艺中的原棒。通过隔离阀将接收炉体与工艺炉体分开，可以将完成的硅芯取出，并立即开始下一个工艺。通过引入扩散到熔体中的工艺气体可以对细杆进行掺杂处理。