FZ-30和FZ-35区熔晶体生长系统专为工业生产直径达200毫米（8英寸）的单晶硅晶体而设计。根据源棒的尺寸，可以拉出长度为2000毫米的晶体。在这个过程中，晶体的直径和液态区的高度可以用摄像系统来监测。该系统采用无接触熔化工艺，通过使用涡轮分子泵和超纯氩气作为工艺气体，产生高极限真空环境，有效地防止了工艺过程中的污染。

单腔立式甩干机适用于晶圆直径至200mm；25片晶圆单盒工艺；标准的高边和低边花篮；可选内置电阻率检测传感器来控制晶圆的清洗工艺；用冷或热的N2辅助晶圆干燥；离心头容易更换。 去静电装置安装于工艺腔室区：去离子水回收；去阻率检测装置；机械手自动加载；可放置台面操作的设备、单立、双腔；去离子水加热系统；底座置放不锈钢滚轮；溶剂灭火装置；适用特殊设计的花篮。

FZ-14M(G)区熔晶体生长系统为制备单晶硅晶体样品而设计开发，该系统用于工业多晶硅生产中的材料分析。生产过程中的小型多晶体样品在氩气环境中被感应熔化，并在籽晶上结晶，形成单晶，然后进行光谱分析，以检测和记录所生产的多晶硅质量。该系统采用无接触熔化工艺，通过使用涡轮分子泵和超纯氩气作为工艺气体，产生高极限真空环境，有效地防止了工艺过程中的污染。

FZ-14 区熔晶体生长系统是专为工业生产直径达100毫米（4英寸）的单晶硅晶体而设计。根据源棒的尺寸，可以拉出长度达1. 1米的晶体。在这个过程中，晶体的直径和液体区的高度可以通过摄像系统来监测。并且该系统的上部主轴和线圈都是自动定位的。该系统采用无接触熔化工艺，通过使用涡轮分子泵和超纯氩气作为工艺气体，产生高极限真空环境，有效地防止了工艺过程中的污染，同时还能将氮气以受控的方式引入工艺炉体。

主要用于对硅材料行业中多晶硅块进行清洗干燥处理

CGS-Lab单晶炉是PVA产品线中最小的直拉法晶体生长系统，专门为研究所和实验室设计。10 英寸热系统的设计用于最多 5 公斤的加料量和生长直径为 100 毫米、长度为 300 毫米的硅锭。设备开炉状态时高度为3.4米，对安装场地的高度要求相当低。晶体提升速度和旋转速度适用于生产特定尺寸的晶棒。