有掩膜光刻机

1.产品概述：

MA12是专为对准和曝光300毫米以下方形衬底和晶圆而设计的，适合于工业研究和生产。凭借灵活处理和过程控制解决方案，本设备主要用于先进封装，包括3D圆晶级芯片尺寸封装, 以及开发和生产敏感元件，如MEMS。。

2.产品优点：

一个涵盖微观到纳米压印的工具

能够可靠地处理弯曲晶圆片和敏感材料

高的光均匀性

强大的工艺控制

增强的SUSS调平系统

占地面积小，增强了人机工程学特性

3.产品工艺：

顶面对准：在光刻工艺中，只需对准器件晶圆同侧的结构（例如再布线层、微凸点 等），用顶部对准功能将掩模位置标记对准晶圆位置标记。 根据衬底的特性，这可以用存储的晶圆位置数据或者用两个现场照片 、SUSS MicroTec 开发的DirectAlign™ 直接对准技术实现。

背面对准：应用微电子机械系统（MEMS）、圆晶级封装和三维集成的工艺，例如在接板上制造垂直通孔 (TSV)，需要与正面结构对准的晶圆背面结构。 此时常使用光学背面对准。 集成摄像机系统采集掩模结构和晶片背面结构并将它们相互对准。 由于晶圆在装载掩模靶后被覆盖，必须预先确定并存储其位置。 这对整个对准系统提出了特殊的要求。

提高对准精度：当对套刻精度有较高要求时，大大提升标准系统的自动对准功能。DirectAlign®，SÜSS MicroTecs 图像识别软件附加功能，放弃图片存储系统中的结构图文件，取而代之的是访问实况图。结构识别基于工业标准 PatMax 且取得了优异成绩。因此，在 SUSS 掩模对准器上用 Direct Align® 进行顶面对准时对准精度可达到 0.5 微米。

晶圆和掩模辅助装片：操作者辅助的系统，与人工晶圆把持的优势相结合，保持了高度的工艺可控与可靠性。