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1. 产品概述
提供深硅蚀刻（DSiE）领域的MEMS，封装和纳米技术的广泛应用，从光滑侧壁工艺到高刻蚀速率腔刻蚀、高深宽比工艺和锥形通孔刻蚀，不需要更换腔室硬件就可以实现。百科：深硅刻蚀系统的原理既包括利用等离子体中的活性粒子进行物理和化学作用的等离子体刻蚀技术，也包括通过化学反应去除材料的湿法刻蚀技术。
2. 设备特点
光滑侧壁工艺；
高刻蚀速率腔刻蚀;
高深宽比工艺;
锥形通孔刻蚀;
机械或静电压盘,加热内衬;
延长了两次清洗间的平均时间间隔（MTBC）环形激光陀螺反射镜;
X射线光学系统;
红外（IR）传感器;
II-VI族材料，通信滤波器。
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