低压化学气相沉积系统LPCVD

1 产品概述:

      低压化学气相沉积系统（LPCVD）是一种在低压条件下，通过加热使气态化合物在基片表面反应并沉积形成稳定固体薄膜的技术。该系统在半导体制造、电力电子、光电子及MEMS等领域具有广泛应用。LPCVD系统通过精确控制温度、压力及气体流量等参数，能够在基片表面形成均匀性良好的薄膜，满足各种工艺需求。

2 设备用途：

LPCVD系统的主要用途包括：

1. 薄膜沉积：用于淀积多种薄膜材料，如Poly-Si（多晶硅）、Si3N4（氮化硅）、SiO2（二氧化硅）、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅及难熔金属硅化物等。这些薄膜在半导体器件、电力电子器件、光电子器件及MEMS结构中起着关键作用。

2. 半导体制造：在半导体集成电路制造过程中，LPCVD系统用于形成栅极氧化物、表面钝化层、氮化物应力缓冲层、牺牲氧化物层及阻挡氧化物层等关键结构。

3. 光电子应用：在光电子领域，LPCVD系统用于制备光波导、可变折射率层、抗反射层等光学薄膜，提升器件性能。

3 设备特点

LPCVD系统具有以下特点：

1. 低压环境：在低压条件下进行沉积，有助于减少气体分子的碰撞和散射，提高薄膜的均匀性和质量。

2. 高精度控制：系统采用先进的温度、压力及气体流量控制技术，能够精确控制沉积过程中的各项参数，确保薄膜的精确性和一致性。

3. 多用途性：能够沉积多种薄膜材料，满足不同工艺需求，具有广泛的适用性。

4. 高效性：由于工作压力低，气体分子的平均自由程和扩散系数大，可采用密集装片方式提高生产率。

4 技术参数和特点：

1. 满足石墨烯和碳纳米管研究的高温和快速冷却要求

2. 直径200毫米的石英室

3. 内部石英管的设计便于拆卸和清洗

4. 基片尺寸可达直径150毫米 

5. 三区电阻炉，150毫米的均匀温度区

6. 温度高可达1000°C

7. 使用节流型VAT蝶形阀下游压力控制在50 mTorr到500 mTorr之间 

8. 8立方英尺/分的Ebara ESA25-D干式真空泵 - 两干式真空