碳化硅外延系统

简要描述：MARS iCE115碳化硅外延系统主要用于4、6英寸SiC外延工艺。采用水平热壁式技术路线，应用先进的控温、控压算法和专业的进气、混流结构，使得整个外延工艺过程中热场和气流场均匀稳定。工艺指标如厚度均匀性、掺杂浓度均匀性、缺陷密度等均达到了行业先进水平。

产品型号：MARS iCE115
厂商性质：经销商
更新时间：2024-09-05
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详细介绍

1. 产品概述

MARS iCE115 碳化硅外延系统，薄膜和厚膜外延兼容，工艺稳定性高。

2. 设备用途/原理

MARS iCE115 碳化硅外延系统，薄膜和厚膜外延兼容，工艺稳定性高，具备多层外延能力，气流场和加热场设计，工艺性能优异，可靠的压力控制系统，成膜质量均一性好。

3. 设备特点

晶圆尺寸 4、6 英寸，适用材料碳化硅 SiC，适用工艺 N&P 碳化硅外延，适用域科研、化合物半导体。‌碳化硅外延系统的工作原理主要依赖于化学气相沉积（CVD）技术。‌这一技术通过载气将反应气体输送到反应室内，在一定的温度和压力条件下，反应气体分解并发生化学反应，形成中间化合物扩散到碳化硅衬底表面，从而生长出外延层。这种外延生长技术能够有效地控制掺杂浓度和薄膜厚度，以满足设计要求，同时减少衬底中的缺陷，提高器件良率。反应室内的气流场和温度场对碳化硅外延生长至关重要，因为它们直接影响外延层的质量和均匀性。