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1. 产品概述
PD-220N是用于沉积各种硅薄膜（SiO2、Si3N4等）的等离子体CVD系统。 PD-220N在提供薄膜沉积所需的全部功能的同时，占地面积比本公司的传统系统小40%。 从研究到半大规模生产，它的应用范围很广。
2. 设备用途/原理
各种硅基薄膜的形成，可形成氮化硅膜、氧化硅膜、非晶硅膜。
3. 设备特点
可在ø8英寸晶圆上沉积，尽管设计紧凑，但该系统能够在5块ø3英寸晶圆、3块ø4英寸晶圆和1块ø8英寸晶圆上同时沉积。TEOS-SiO2成膜系统可扩展，可增加TEOS等温室装置。等离子体化学气相沉积(plasmachemical vapor deposition)是指用等离子体激活反应气体，促进在基体表面或近表面空间进行化学反应，生成固态膜的技术。按产生等离子体的方法，分为射频等离子体、直流等离子体和微波等离子体CVD等。
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