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1. 产品概述
高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室,是一套完整的生产系统,具有优良的工艺重复性和稳定性。
2. 设备用途/原理
GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。SiC、SiO₂的高速加工。蚀刻铁电材料(PZT、BST、SBT、SBT)、电材料(Pt、Au、Ru、Al)和其他难以蚀刻的材料。複合式半導體晶片的等離子切割和薄型化。
3. 设备特点
新的ICP源 "HSTC™: Hyper Symmetrical Tornado Coil"。可高效稳定地应用高射频功率(2千瓦以上),并实现良好的均匀性。大流量排气系统,排气系统直接连接到反应室,可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。下电升降机构,晶片和等离子体之间的距离经过优化,以确保良好的平面内均匀性。易于维护的设计,TMP(涡轮分子泵)集成在设备中,便于更换。
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