枚叶式PECVD设备

1 产品概述:

   枚叶式PECVD设备（尽管此名称可能非标准），作为PECVD技术的一种实现方式，其核心在于利用等离子体增强化学气相沉积过程。该设备通过特定的气体供应系统引入反应气体，利用高频或微波电源在反应室内产生等离子体，使气体分子在等离子体中发生化学反应，最终在基底上沉积形成所需的薄膜材料。设备通常包括反应室、气体供应系统、等离子体激发系统、加热系统和真空系统等关键部件。

2 设备用途：

枚叶式PECVD设备（或一般PECVD设备）的用途广泛，主要包括但不限于以下几个方面：

1. 半导体制造：用于生长SiO2、SiNx等材料，作为MOSFET等半导体器件的绝缘层和通道层。

2. 光伏产业：制备非晶硅、多晶硅等薄膜，用于太阳能电池的光吸收层和透明导电层。

3. 平板显示器：制备低温多晶硅薄膜，用于薄膜晶体管面板的薄膜电晶体。

4. 光学涂层：制备SiO2、Si3N4等材料，用于抗反射膜、硬质涂层、光学滤波器等光学涂层的制备。

3 设备特点

枚叶式PECVD设备（基于PECVD技术的一般特点）可能具备以下特点：

1. 高效性：等离子体中的高能粒子能显著加速化学反应，提高薄膜的沉积速率和生产效率。

2. 高质量：通过精确控制等离子体参数和工艺条件，可以制备出高质量、高纯度的薄膜材料。

3. 灵活性：适用于多种材料的薄膜制备，且可通过调整工艺参数实现薄膜性质的精确调控。

4. 环保性：相比传统化学沉积方法，PECVD在制备过程中通常不需要使用有害的化学试剂，减少了环境污染。

4 技术参数和特点：

•27.12MHz高密度等离子制程

•SiH4系：SiO2、SiNx、SiON、a-Si、TEOS系：可对应SiO2膜

•以NF3+Ar Plasma实现腔体清洁功能

•可对应有机EL（OLED）的低温成膜用heater

•使用Tray大可搬送□200mm(CME-200E)的基板尺寸(CME-400:可对应300×400)