Load-lock式Plasma CVD设备

1 产品概述:

Load-lock式Plasma CVD设备是一种集等离子体发生、薄膜沉积和Load-lock技术于一体的先进设备。它通常包括反应室、等离子体发生器、真空系统、加热系统以及Load-lock腔室等关键部件。在设备运行过程中，通过Load-lock腔室实现样品在真空环境和外界环境之间的快速切换，减少外界污染对样品的影响，同时提高生产效率。

2 设备用途：

Load-lock式Plasma CVD设备广泛应用于半导体制造、材料科学、光学薄膜制备、太阳能电池生产等多个领域。其主要用途包括：

1. 薄膜沉积：利用等离子体中的高能粒子促进化学反应，在基底表面沉积高质量的薄膜材料，如氧化物、氮化物、碳化物等。

2. 材料改性：通过等离子体处理改善材料的表面性能，如提高附着力、降低摩擦系数、增加耐腐蚀性等。

3. 多层膜制备：结合其他工艺，如光刻、刻蚀等，制备具有复杂结构和功能的多层膜材料。

3 设备特点

  高效性：等离子体中的高能粒子能显著加速化学反应，提高薄膜的沉积速率和生产效率。

  高质量：通过精确控制等离子体参数和工艺条件，可以制备出高质量、高纯度的薄膜材料。

  灵活性：适用于多种材料的薄膜制备，且可通过调整工艺参数实现薄膜性质的精确调控。

  环保性：相比传统化学沉积方法，等离子CVD设备在制备过程中不需要使用有害的化学试剂，减少了环境污染。

  Load-lock技术：采用Load-lock腔室设计，实现了样品在真空环境和外界环境之间的快速切换，减少了外界污染对样品的影响，同时提高了生产效率。
4 技术参数和特点：

•27.12MHz高密度等离子制程

•SiH4系：SiO2、SiNx、SiON、a-Si、TEOS系：可对应SiO2膜

•以CF4+O2 Plasma实现腔体清洁功能

•可对应有机EL（OLED）的低温成膜用heater

•使用Tray可搬送多种基板尺寸

•通过使用真空Box实现C系列的间接连续制程（Sputter: CS-200, Evaporation: CV-200）