ICPCVD

直开式设计允许快速装卸晶圆

出色的刻蚀控制和速率测定

出色的晶圆温度均匀性

晶圆最大可达200mm

购置成本低

符合半导体行业 S2 / S8标准

小型系统——易于安置

优化了的电极冷却——衬底温度控制

高导通的径向（轴对称）抽气结构—— 确保提升了工艺均匀性和速率

增加<500毫秒的数据记录功能——可追溯腔室和工艺条件的历史记录

近距离耦合涡轮泵——提供优。越的泵送速度加快气体的流动速度

关键部件容易触及——系统维护变得直接简单

X20控制系统——大幅提高了数据信息恢复功能， 同时可以实现更快更可重复的匹配

通过前端软件进行设备故障诊断——故障诊断速度快

用干涉法进行激光终点监测——在透明材料的反射面上测量刻蚀深度 (例如硅上的氧化物)，或者用反射法来确定非透明材料 (如金属) 的边界

用发射光谱（OES）实现较大样品或批量工艺的终点监测—— 监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化，以及用于腔室清洗的终点监测

应用：

III-V族刻蚀工艺

硅 Bosch和超低温刻蚀工艺

类金刚石

类金刚石（DLC）沉积

二氧化硅和石英刻蚀

用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖逆工艺，可处理封装好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圆

高质量PECVD沉积氮化硅和二氧化硅，用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途

用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀