无掩模对光刻机

简要描述：无掩模对光刻机 MLA 300 提供高吞吐量、简化的工作流程以及与制造执行系统（MES）的集成。该工具用于生产传感器和传感器 IC、MEMS 和微流体器件。其他应用包括分立电子元件、模拟和数字 IC、ASIC、电力电子、OLED 显示器和先进封装。

产品型号：MLA 300
厂商性质：经销商
更新时间：2024-09-05
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1. 产品概述：

MLA 300 无掩模光刻机提供高吞吐量、简化的工作流程以及与制造执行系统（MES）的集成。该工具用于生产传感器和传感器 IC、MEMS 和微流体器件。其他应用包括分立电子元件、模拟和数字 IC、ASIC、电力电子、OLED 显示器和先进封装。

MLA 300 可实现高的光学质量和精度。标准曝光模块的小特征尺寸为 1.5 μm。实现更高吞吐量和更高分辨率的写入模式正在我们的路线图上。MLA 300 具有自动化功能，具有可定制的装载选项、为生产环境设计的软件以及获得基材跟踪技术。

MLA 300 克服了口罩采购、验证和管理的要求，从而降低了生产成本和工作量。长寿命曝光激光器（24/7 全天候生产估计为 10 年）和较少的耗材可提高运营成本。模块化设计可实现快速维护、更换或维修。实时自动对焦可补偿基材翘曲或波纹，确保无瑕的图案。无掩模光刻技术允许对每个芯片进行图案校正和序列化，以全面跟踪产品特性，例如传感器校准。

具体参数
最小行数和间距 [μm]	2
最小特征尺寸 [μm]	1.5
CD均匀度 [3σ， nm]	200
边缘粗糙度 [3σ， nm]	80
拼接 [3σ， nm]	120
第 2 层对准 [3σ， nm]	500
背面对准 [3σ， nm]	1000
每个模块的曝光时间（100 x 100 mm² 80 mJ/cm² 和 405 nm 激光波长）	2.75 分钟
一个模块的最大写入速度 405 nm 激光波长	4615 平方毫米/分钟

系统特点
光源	375 nm 或 405 nm 的高功率二极管激光器
最大基板尺寸	300 x 300 平方毫米
最大曝光面积	300 x 300 平方毫米
基板厚度	0.1 - 10 毫米
模块化环境试验箱	温度稳定性±0.1°C
实时自动对焦	光学和/或气动自动对焦
自动对焦动态范围	高达 150 μm
对准	高级对准;背面对齐可选
自动化	自动晶圆处理和预对准

系统尺寸（不包括装载机）
高度 × 宽度 × 深度	1980 毫米 x 1200 毫米 x 2310 毫米
重量	2600 千克

安装要求
电气	400 伏交流电，50/60 赫兹，16 安