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当前位置：首页  >  产品中心  >  半导体前道工艺设备  >  5 刻蚀设备  >  PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀

原子层刻蚀

简要描述：ALE是一种先进的刻蚀技术，可以针对较浅的微结构进行出色的深度控制。 随着器件微结构尺寸越来越小，要达到器件的更高性能可以通过ALE技术所具有的精度来实现。

在如今的先进微电子器件制造中，高保真度的图案转移（刻蚀）是至关重要的。随着特征尺寸缩小至亚10纳米级别，以及新型器件采用超薄的二维材料，对原子尺度保真度的需求不断增加。

原子层刻蚀(ALE)技术克服了传统（连续）刻蚀技术在原子尺度上的局限

  • 产品型号：PlasmaPro 100 ALE
  • 厂商性质：经销商
  • 更新时间：2024-08-12
  • 访  问  量： 94
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详细介绍

工艺优势

  • 可实现刻蚀层的高深度精度

  • 最大可加工200 mm的晶圆，典型均匀度<±2%

  • 利用先进的技术对刻蚀深度进行高度控制

  • 对衬底的损害小

  • 可与标准ICP结合使用

原子层刻蚀工艺

原子层刻蚀通常包括4个步骤的周期，根据需要可重复多次，以达到所需的刻蚀深度。以下是使用 Cl2/Ar进行AlGaN刻蚀的ALE示例：

步骤 1) 对基底进行刻蚀气体的投放，刻蚀气体吸附在刻蚀材料上并与之发生反应。通常，刻蚀气体经等离子体解离以增强吸附速率。通过正确选择投放气体和参数，这个步骤可以实现自限制，即在吸附一层分子后化学投放停止。

步骤 2) 清除所有剩余的投放气体

步骤 3) 用低能惰性离子轰击表面，去除已发生反应的表面层。如果离子的能量足以去除化学修饰层，但不足以（溅射）刻蚀下层块状材料，这可能是自限制。

步骤 4)清除腔室内的刻蚀产物。

原子层刻蚀的优势

  • 采用低离子能量，刻蚀损伤小

  • 精确控制刻蚀深度

  • 超薄层去除

  • 自限制行为

  • 选择性高，因为可对剂量气体和离子能量进行定制，以尽量减少对掩膜层或底层材料的刻蚀

  • 刻蚀速率受刻蚀特征长宽比的影响较小（即减少ARDE），因为自由基的供应和表面离子轰击已分成独立的步骤

  • 由于具有自限性，均匀性得到改善

  • 刻蚀表面光滑

  • 由于依赖离子轰击，因此具有各向异性







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