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由于离子能量低且离子能量分布窄，因此可以使用SENTECH电感耦合等离子体（ICP）蚀刻工具进行低损伤蚀刻和纳米结构。
使用室温交替工艺或低温工艺实现光滑侧壁，可以很容易地使用高纵横比的 MEMS 的 Si 进行高速等离子体蚀刻。
SENTECH平面三重螺旋天线（PTSA）等离子体源是一种等离子体处理系统功能。PTSA 源产生具有高离子密度和低离子能量的均匀等离子体，适用于传感器、量子点和 HEMT 的低损伤蚀刻。它具有高耦合效率和非常好的点火性能，适用于处理各种材料和结构。
等离子体蚀刻过程中的衬底温度设置和稳定性是高质量蚀刻的严格标准。具有动态温度控制功能的衬底电极与氦气背面冷却和衬底背面温度传感相结合，可在很宽的温度范围内提供出色的工艺条件。化合物半导体中的凹槽和台面蚀刻等应用展示了最佳的工艺控制，这对于高器件性能是必要的。
从100 mm晶圆到直径200 mm的各种基板，以及载体上的基板，都可以通过SENTECH SI 500 ICP-RIE系统中内置的灵活负载锁来处理。单晶圆真空负载锁定保证了稳定的工艺条件，并允许直接切换工艺。
我们可以提供不同级别的自动化，从真空盒装载到一个工艺室，再到六端口集群配置，不同的蚀刻和沉积模块提供高灵活性和高吞吐量。该系统还可以作为过程模块集成到集群配置中。
SENTECH SI 500 ICP-RIE系统由先进的硬件和SIA操作软件控制，具有客户端-服务器架构。一个经过充分验证的可靠可编程逻辑控制器（PLC）用于所有组件的实时控制。
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