超高真空激光分子束外延薄膜沉积系统

1.产品概述：

系统由真空腔室（外延室、进样室）、样品传递机构、样品架、立式旋转靶台、基片加热台、抽气系统、真空测量、工作气路、电控系统、计算机控制等各部分组成。

2.设备用途：

脉冲激光沉积(Pulsed Laser DeposiTION，简称PLD)是新近发展起来的一项技术，继20世纪80年代末成功地制备出高临界温度的超导薄膜之后，它的优点和潜力逐渐被人们认识和重视。该项技术在生成复杂的化合物薄膜方面得到了非常好的结果。与常规的沉积技术相比，脉冲激光沉积的过程被认为是“化学计量"的过程，因为它是将靶的成分转换成沉积薄膜，非常适合于沉积氧化物之类的复杂结构材料。当脉冲激光制备技术在难熔材料及多组分材料(如化合物半导体、电子陶瓷、超导材料)的精密薄膜，显示出了诱人的应用景。

3.真空室：

真空室结构:球形开门双室

真空室尺寸:镀膜室尺寸：Ф450mm ；进样室尺寸：Ф150x300mm

限真空度:镀膜室≤6.0E-8Pa；进样室：≤6.0E-5Pa

沉积源:φ2英寸靶材，4个；或φ1英寸靶材，6个

样品尺寸，温度:φ2英寸，1片，高800℃

占地面积（长x宽x高）:约2.8米x1.3米x1.9米

电控描述:部分电动控制

特色参数 :配备高能电子衍射仪、氧等离子体发生器