高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积系统

简要描述：产品概述：
系统主要由3个真空沉积室（分别沉积P、I、N结）、1个进样室、1个中央传输室、平板式电极、基片加热台、工作气路、传送机械手、抽气系统、安装机台、射频电源、甚高频电源、尾气处理装置、真空测量及电控系统等部分组成。

设备用途：
团簇型等离子体化学气相沉积设备（PECVD），采用等离子体增强化学气相沉积技术，在光学玻璃、硅片、石英、不锈钢片等不同衬底材料上，沉积氮化硅、非晶硅、微晶硅、二氧

产品型号：PECVD
厂商性质：经销商
更新时间：2024-08-13
访问量： 120

产品咨询联系我们

产品分类

Product Category

详细介绍

产品概述：
系统主要由3个真空沉积室（分别沉积P、I、N结）、1个进样室、1个中央传输室、平板式电极、基片加热台、工作气路、传送机械手、抽气系统、安装机台、射频电源、甚高频电源、尾气处理装置、真空测量及电控系统等部分组成。

设备用途：
团簇型等离子体化学气相沉积设备（PECVD），采用等离子体增强化学气相沉积技术，在光学玻璃、硅片、石英、不锈钢片等不同衬底材料上，沉积氮化硅、非晶硅、微晶硅、二氧化硅等薄膜，可以制备非晶硅、微晶硅薄膜太阳能电池器件。

真空室结构:

1个中央传输室：蝶形结构；3个沉积室：方形结构； 1个进样室：方形结构

真空室尺寸:

中央传输室：Φ1000×280mm ；沉积室：260×260×280mm ；进样室：300×300×300mm

极限真空度:

中央传输室：6.67E-4 Pa；沉积室：6.67E-6 Pa ；进样室：6.67 Pa

沉积源:

样品尺寸，温度:

114X114X3mm，加热温度350度，机械手传递样品

占地面积（长x宽x高）:

约13米x9米x2.3米（设计待定）

电控描述:

全自动

工艺:

在80X80mm范围内硅膜的厚度均匀性优于±5%

特色参数 :

共有8路工作气体

产品咨询

上一篇：Cluster PECVD高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积系统

下一篇：PECVD高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积

高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积系统

留言框

产品：

您的单位：

您的姓名：

联系电话：

常用邮箱：

省份：

详细地址：

补充说明：

验证码：