金属有机源气相沉积系统

1.  产品概述：

金属有机源气相沉积系统（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD）是一种先进的薄膜材料制备技术，通过金属有机前体和反应气体在基底表面上的热解和反应，形成所需的薄膜材料。该系统主要由真空室反应系统、气体（载气与气相有机源）输运控制系统、有机源蒸发输运控制系统、电源控制系统、尾气处理及安全保护报警系统组成。

MOCVD系统具有高质量、稳定性、重复性及多功能性等优点，是当今世界上生产半导体光电器件和微波器件材料的主要手段。它广泛应用于半导体、光电子、光伏和显示等领域，用于制备各种功能性薄膜材料，如氮化物、磷化物和氧化物等。

2 设备用途/原理：

1. 半导体材料制备：MOCVD系统可用于制备三五族或二六族化合物半导体薄膜，如砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、氮化镓（GaN）等，这些材料广泛应用于集成电路、光电器件和微电子元件中。

2. 光电器件生产：利用MOCVD技术可以生产发光二极管（LED）、激光二极管（LD）、太阳能电池等光电器件。特别是蓝光和白光LED的核心结构，如GaN和InGaN薄层序列，就是通过MOCVD工艺实现的。

3. 微电子元件制造：MOCVD技术还可用于制造异质结双极性晶体管（HBT）、假晶式高电子迁移率晶体管（PHEMT）等微电子元件。

4. 研究与开发：研究机构和大学也使用MOCVD设备进行科学研究和开发新的薄膜材料，以推动相关领域的技术进步。

3. 设备特点

1 高精度控制：MOCVD系统具有高度的自动化和精确的控制能力，可以精确控制反应条件（如温度、压力和气体流量），以优化薄膜的成分、结构和性质。

2  高效生产：该系统能够实现大规模、高效率的薄膜材料生产，满足工业化生产的需求。

3  多功能性：MOCVD技术不仅限于制备单一类型的薄膜材料，还可以实现多种材料的交替生长，为制备复杂结构的器件提供了可能。

4  安全保护：系统配备有尾气处理及安全保护报警系统，确保在有毒气体环境下操作的安全性。

4 设备参数

真空室结构:卧室

真空室尺寸:Ф400mm×300mm（L）

限真空度:10 Pa

沉积源:设计待定

样品尺寸，温度:设计待定

占地面积（长x宽x高）:约4.5米x3.5米x3米（设计待定）

电控描述:屏幕操作