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全自动CMP抛光机

简要描述:全自动CMP抛光机是一款针对薄膜(介质层)的全自动抛光设备,操作便捷,兼容性强,通过更换抛光压头实现不同尺寸晶圆的兼容,采用自动化装片方式,机械手自动取放片,同时搭配双面PVA滚刷进行在线刷洗功能,实现干进干出,用于氧化物、金属、STI、SOI、MEMS等产品的平坦化抛光,应用广泛。

  • 产品型号:TPC-2110
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2024-09-06
  • 访  问  量: 107

详细介绍

1.  产品概述:

CMP抛光机,全称为化学机械抛光机,是一种针对薄膜(如介质层)进行抛光处理的设备。它结合了化学刻蚀和机械摩擦的综合作用,通过精确控制抛光过程中的化学和机械参数,实现对晶圆表面材料的精细去除和平坦化处理。CMP抛光机具有操作便捷、兼容性强等特点,能够根据不同尺寸和类型的晶圆进行适配,并通过更换抛光压头等方式实现多种抛光工艺的需求。

2.  设备用途/原理:

CMP抛光机在半导体制造中扮演着至关重要的角色,其主要用途包括:

1. 晶圆表面平坦化:在集成电路制造过程中,CMP抛光机用于对晶圆表面进行平坦化处理,以消除表面起伏和缺陷,提高晶圆表面的平整度。这对于后续工艺步骤的顺利进行和芯片性能的提升至关重要。

2. 薄膜厚度控制:CMP抛光机能够精确控制晶圆表面薄膜的厚度,确保薄膜厚度达到设计要求。这对于提高芯片的性能和可靠性具有重要意义。

3. 特殊材料加工:除了集成电路制造外,CMP抛光机还广泛应用于3D封装技术、特殊材料加工等领域。例如,在3D封装技术中,CMP抛光机用于处理芯片之间的连接面,以确保连接的精确性和可靠性。

3.  设备特点

CMP抛光机具有以下几个显著特点:

1  高精度控制:CMP抛光机采用先进的控制系统和精密的机械结构,能够实现对抛光过程中各项参数的精确控制。这包括抛光压力、抛光盘转速、抛光头转速等关键参数,从而确保抛光效果的稳定性和一致性。

2 多工艺兼容:CMP抛光机具有较强的兼容性,能够根据不同材料和工艺的需求进行适配。通过更换抛光压头、调整抛光液配方等方式,CMP抛光机可以实现对多种材料和工艺的抛光处理。

3 自动化程度高:现代CMP抛光机通常配备有自动化上下片系统、自动清洗系统等辅助设备,能够实现抛光过程的自动化操作。这不仅提高了生产效率,还降低了人工操作带来的误差和风险。

4 环保节能:CMP抛光机在设计和制造过程中注重环保和节能。例如,采用低能耗的电机和传动系统、优化抛光液配方以减少废液排放等措施,都有助于降低设备运行过程中的能耗和环境污染。

综上所述,CMP抛光机作为半导体制造领域的重要设备之一,具有高精度控制、多工艺兼容、自动化程度高和环保节能等特点。随着半导体技术的不断发展和进步,CMP抛光机也将不断升级和完善,为半导体制造行业的发展提供更加有力的支持。
 4. 设备参数

规格/参数

TPC-2110

晶圆尺寸

兼容6/8英寸

加工形式

全自动干进干出

抛光盘数量

1

抛光盘转速

0-200 RPM

抛光头转速

0-200RPM

Wafer气囊压力

0-700 g/cm2

分区加压

8英寸5区,6英寸3

保持环压力

0-700 g/cm2

修整器

摆臂式金刚石修整器

清洗工位

3个:2个刷洗+1个兆声&干燥

研磨大速率(Sio2

200nm/min

研磨后晶圆表面粗糙度(Sio2)

Ra≤0.5nm(监测区域 面积≥5umx5um)

Sio2研磨去除速率

片间非均匀性≤5%

Sio2研磨去除速率

片内非均匀性≤5%(去边5EE,同一直径从左到右 9 )



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