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8英寸等离子体增强化学气相沉积设备

简要描述:详细介绍
Shale® A系列等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD),通过平行电容板电场放电产生等离子体,可以在400℃及以下沉积比较致密、均匀性较好的氧化硅、TEOS、BPSG、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅、非晶碳、非晶碳化硅等薄膜。该设备采用了8英寸产线设备所通用的国际标准零部件,符合SEMI的设计标准,并通过了严苛的稳定性和可靠性测试验证。

  • 产品型号:Shale® A 系列
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2024-09-04
  • 访  问  量: 109

详细介绍

8英寸等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备

1. 产品概述

Shale® A系列等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD)是一款先进的薄膜沉积设备,旨在满足半导体制造和相关领域对于高质量薄膜沉积的需求。该设备采用了平行电容板电场放电技术,有效地产生等离子体,这种等离子体环境使得各种薄膜材料的沉积过程更加高效和精准。

在操作温度方面,Shale® A系列设备能够在400°C及以下的条件下,实现较为致密且均匀的薄膜沉积。这一特性使其成为沉积多种材料的理想选择,包括氧化硅、TEOS(四乙氧基硅烷)、BPSG(掺铝的硅玻璃),以及氮化硅、氮氧化硅、非晶硅、非晶碳和非晶碳化硅等多种高性能薄膜材料。

此外,Shale® A系列设备在设计和制造过程中,充分考虑了国际市场的标准,采用了符合SEMI(美国半导体设备与材料国际协会)标准的通用零部件,确保设备在全球范围内的兼容性和可用性。同时,该设备经过了一系列严格的稳定性和可靠性测试,验证其能够在实际生产中保持优异的性能表现,从而为用户提供了一个可信赖的沉积解决方案。这使得Shale® A系列PECVD设备不仅适用于高技术要求的半导体行业,还能够确保在各种应用场景中的稳定运行。

2. 系统特性

可提供基于硅烷(SiH4)体系的薄膜沉积方案,还可选正硅酸乙酯(TEOS)体系的沉积方案

可提供双频设备,使氮化硅(SiNx)的应力可调,范围从压应力-1.6GPa到张应力+0.7GPa

可提供n/p型掺杂,满足磷硅玻璃(PSG)和硼磷硅玻璃(BPSG)等掺杂氧化硅工艺的需求

8/6英寸兼容




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