原子层沉积仪器ALD

1 产品概述:

    原子层沉积（Atomic Layer Deposition, ALD）是一种先进的薄膜沉积技术，它通过化学反应将物质以单原子膜形式一层一层地镀在基底表面。这种技术属于化学气相沉积的一种，但其在于其自限制性和互补性，使得对薄膜的成份和厚度具有出色的控制能力。ALD广泛应用于力学、物理学、材料科学以及纳米技术等领域。

2 设备用途：

原子层沉积设备主要用于在各种基底上沉积高质量的薄膜，其应用范围包括但不限于：

1. 半导体领域：用于晶体管栅极电介质层（如高k材料）、光电元件的涂层、集成电路中的互连种子层、DRAM和MRAM中的电介质层，以及集成电路中嵌入电容器的电介质层等。

2. 纳米技术领域：用于制备中空纳米管、隧道势垒层、光电电池性能的提高、纳米孔道尺寸的控制、高宽比纳米图形、纳米晶体、纳米结构、中空纳米碗等复杂纳米结构。此外，还可用于纳米颗粒、纳米线等材料的涂层。

3. 其他领域：包括微电子、食品包装、光电、催化剂、储能技术、航天器外壳聚合物涂层等

3 设备特点

  高度可控性：沉积参数（如厚度、成份和结构）高度可控，能够精确控制薄膜的厚度至纳米级甚至亚纳米级。

  优异的均匀性和一致性：所制备的薄膜保形性好、纯度高且均匀，这对于提高器件性能至关重要。

  广泛的适应性：设备能够适应不同尺寸和形状的基底，包括平面基底和复杂的三维结构。

  高效性：通过优化工艺参数，可以实现高效的薄膜沉积，提高生产效率。

  灵活性：可沉积多种类型的材料，包括金属氧化物（如ZnO、TiO2、Al2O3、SnO2）、金属（如Pt、Ir）等，满足不同应用需求。
4 技术参数和特点：

• 卷筒纸宽度：大420mm

• ALD镀膜厚度：大100nm

• 动态沉积速率 （Al2O3）： 10 nm *m/min

• 过程温度：高 250°C