反应性离子刻蚀系统RIE

1.产品概述：

 PlasmaPro 80是一种结构紧凑、小尺寸且使用方便的直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。它易于放置，便于使用，且能确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸，是研究和小批量生产的理想选择。 它通过优化的电冷却和出色的衬底温度控制来实现高质量的工艺。

2.设备原理：

利用气体放电产生的等离子体，在射频电源的作用下，使气体分子电离并形成离子，这些离子在电场的作用下加速并轰击被刻蚀材料的表面，从而实现材料的去除。RIE技术的关键在于，刻蚀过程中产生的化学反应与物理轰击相结合，既保证了刻蚀的均匀性，又提高了刻蚀的速率。

3.特色参数：

直开式设计允许快速装卸晶圆

出色的刻蚀控制和速率测定

出色的晶圆温度均匀性

晶圆大可达200mm

购置成本低

符合半导体行业S2/S8标准

小型系统——易于安置

优化的电冷却系统——衬底温度控制

高导通的径向（轴对称）抽气结构 —— 确保能提升工艺均匀性和速率

增加<500毫的数据记录功能—— 可追溯腔室和工艺条件的历史记录

近距离耦合涡轮泵 —— 抽速高迅速达到所要求的低真空度

关键部件容易触及 ——系统维护变得直接简单

X20控制系统——大幅提高了数据信息处理能力， 并且可以实现更快更可重复的匹配

通过端软件进行设备故障诊断 —— 故障诊断速度快

用干涉法进行激光终点监测 —— 在透明材料的反射面上测量刻蚀深度 （例如硅上的氧化物），或者用反射法来确定非透明材料（如金属）的边界

用发射光谱（OES）实现较大样品或批量工艺的终点监测 —— 监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化，以及用于腔室清洗的终点监测