通用晶圆键合平台

1.产品概述：

通用晶圆键合平台设计用于（混合）热键合对准的200mm和300mm晶圆。 其高度模块化的设计便于客户以低拥有成本来实现极大的配置灵活性。 提供多种配置，可满足研发和大批量生产（HVM）环境的需求。 新型XBS300混合键合平台可用于在诸如3D堆栈存储器或3D SOC（片上系统）等要求极其严苛的应用中混合键合聚集D2W（芯片到晶圆）和W2W（晶圆到晶圆）。

2.产品优势：

MHU 物料输送装置：用于该系统可将单个基板运送到单个工艺模块。它提供不同配置的装载工位以及基于摄像头的光学预对准器，并可选配 ID 读取器。选配的摄像系统可监控和记录机器内部情况。带有自动产量优化功能的循环调度算法可确保所有工序的时间安排一致，并具备连续运行能力。热键合是指两个平面基板自发粘合。 该工艺包括冲洗抛光盘，使其具备高度亲水性，然后使其相互接触并在高温下回火。 等离子体预处理工艺可使基板在室温条件下键合。

XBA 键合对准器：XBA 键合对准器采用我们专有的基底间对准 (ISA) 技术，可为透明或非透明基底提供一致的亚微米对准精度。内置的固定基准、全局校准和叠加验证确保了最佳的可重复性。全局校准晶片是系统不可分割的一部分，使自动校准和叠加验证变的简单快捷。W2W 键合采用苏斯微技术公司的工艺，以高度受控和可重复的方式进行。

清洗模块：清洗模块具有许多关键功能，是实现最高清洁度要求的一部分，例如兆声清洗和湿化学功能（例如 NH4OH (<2 %)）。此外，该系统还可配备增强型可选功能，如有机物去除功能（SC1 化学清洗）、背面冲洗、氧化铜去除和 N2 辅助吹干，以进一步满足加工需求。

活化模块：等离子活化技术为基于等离子体的高效基底表面活化提供了最高的工艺灵活性和可重复性。可使用 Ar、O₂、N₂ 等各种工艺气体，并通过质量流量控制器 (MFC) 进行控制。通过门阀加载，可以符合 CMOS 标准。适当选择等离子体化学成分，还可以对聚合物残留物进行等离子体清洗。

低力度键合室：如果对键合力有要求，XBS300可搭备我们经业界认可的300mm低力度键合室，施加高达15kN的键合力。 如今，这种键合室广泛应用于全球临时键合行业中。

集成测量模块：集成的原位测量功能可实现快速工艺反馈。 因此，该测量模块对于增强工艺控制和提高产量至关重要。 该模块可配置用于红外空洞检测（高分辨率真实全场图像）和/或高精度红外套刻测量，在高处理量下具备多站点功能。通过对键合对准器补偿参数的闭环反馈实现的在线工艺控制还能持续优化套刻性能。