低温ICP-RIE等离子体刻蚀系统

1. 产品概述：

SENTECH SI 500 C 低温 ICP-RIE 等离子体蚀刻系统代表了电感耦合等离子体 （ICP） 处理的前沿技术，其最宽温度范围为 -150 °C 至 150 °C。 该工具包括 ICP 等离子体源 PTSA、一个动态温控基板电极、一个受控的真空系统和一个非常易于操作的用户界面。灵活性和模块化是设计特点。该系统可以配置为处理各种精细结Si, SiO2, Si3N4, GaAs和InP

2. 低损伤等离子体蚀刻

由于离子能量低和离子能量分布窄，因此可以使用SENTECH ICP蚀刻工具进行低损伤蚀刻和纳米结构。

3. 使用低温加工的深硅蚀刻

电感耦合 SENTECH SI 500 C 低温 ICP-RIE 等离子体蚀刻系统设计用于硅的低温蚀刻以获得光滑的侧壁、室温下的硅蚀刻以及使用气体切碎工艺的深硅蚀刻，应用在流体学、传感器、光电子学、光子学和量子技术中。

4. SENTECH专有的等离子体源技术

SENTECH 平面三重螺旋天线 （PTSA） 是一种ICP 等离子体源。PTSA 源产生具有高离子密度和低离子能量的均匀等离子体，适用于传感器和量子点的低损伤蚀刻。它具有高耦合效率和非常好的点火性能，适用于处理各种材料和结构。

5. 动态温度控制

等离子体蚀刻过程中的衬底温度设置和稳定性是高质量蚀刻的严格标准。具有动态温度控制功能的衬底电极与氦气背面冷却和衬底背面温度传感相结合，可在很宽的温度范围内提供出色的工艺条件。通常，低温电极使用液氮冷却，但是，低温电极也可用于使用冷却器进行室温处理。有一个选项可用于在低温蚀刻和室温蚀刻之间自动切换。

6. 灵活性和模块化

从150 mm晶圆到直径200 mm的各种衬底，以及载体上的衬底，都可以通过SENTECH SI 500 Ccrogenic ICP-RIE等离子蚀刻系统中内置的灵活负载锁来处理。单晶圆真空负载锁定保证了稳定的工艺条件，并允许直接切换工艺。