快速退火炉

1 产品概述：

   快速退火炉，又称RTP（Rapid Thermal Processing）快速热处理炉，是一种用于快速热处理、热氧化处理、高温退火等工艺的设备。它利用卤素红外灯等高效热源，通过极快的升温速率（可达150摄氏度/秒）和精确的温控系统，将晶圆或材料快速加热到所需温度（最高可达1200摄氏度），并在短时间内完成退火过程，从而消除材料内部缺陷，改善产品性能。快速退火炉广泛应用于半导体、LED、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产中，是现代微电子制造领域重要设备。

2 设备用途：

1、快速热处理（RTP）：用于对晶圆或材料进行快速加热和冷却处理，以改善晶体结构和光电性能。

2、快速退火（RTA）：通过快速升温和降温过程，消除材料内部的应力、缺陷和杂质，提高材料的性能。

3 、热氧化处理（RTO）：在特定气氛下对材料进行加热处理，形成所需的氧化物层。

4、离子注入/接触退火：在离子注入后对材料进行退火处理，以激活注入的离子并改善材料的电学性能。

5、 金属合金化：如SiAu、SiAl、SiMo等合金的制备过程中，通过快速退火促进合金化反应。

6、 化合物合金制备：如砷化镓、氮化物等化合物的合金制备过程中，快速退火炉也发挥着重要作用生。同时，加热还可以促进化学反应的进行，提高处理效果。

3. 设备特点

  1 高效加热与快速升降温：采用卤素红外灯等高效热源，升温速率快，最高可达150摄氏度/秒；降温速率也快，如从1000摄氏度降到300摄氏度仅需几分钟。

  2 高精度温控系统：采用先进的微电脑控制系统和PID闭环控制温度，控温精度可达±0.5摄氏度，温控均匀性≤0.5%设定温度。

  3 多功能性与灵活性：可根据用户工艺需求配置真空腔体、多路气体等，满足不同工艺条件的需求。

  4 低污染与环保：试样反应区处在一个密闭的石英腔体内，大大降低了间接污染试样的可能性；同时，设备在设计和制造过程中注重环保理念，减少了对环境的污染。

  5 操作简便与自动化：配备可视化触摸屏和智能控制系统，设定数据和操作都是图文界面，操作方便；同时，可实现单台或多台电炉的远程控制、实时追踪、历史记录、输出报表等功能。

4  设备参数：

• 技术参数：适用于大 150 mm （6“） 或 156 mm x 156 mm 基板尺寸的单晶圆

• （可选：100 mm 适配器）

• 由石英玻璃制成的工艺室（室高度：40      mm）

• 带集成气体入口和出口

• 包括一条带氮气质量流量控制器的过程气体管路（5 nlm = 标准升/分钟）

• 由 24 个红外灯 （42 kW） 加热

• 顶部和底部加热

• 斜坡下降速率：T=1000 °C˃400 °C      200 K/min。
       斜坡下降速率：T= 400 °C˃100 °C      30 K/min。

• 外部泵系统具有真空功能（高 10E-3      hPa，高 10E-6 hPa：参见      RTP-150-HV）

• SPS 过程控制器，带 50 个程序，每个程序多 50 个步骤（以太网接口），SIMATIC

• 7 英寸触摸屏，便于编程和过程控制

• 高气温 1000 °C

• 通过热电偶进行温度控制

• 需要水冷

• 电气连接类型：2x[32 A CEE 插头（3 x 230 V，3 相，N，PE>

• 烤箱尺寸：504 mm x 504      mm （700） x 570 mm（宽 x 深 x 高）

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• 重量： 58 kg