欢迎来到深圳市矢量科学仪器有限公司网站!
咨询热线

19842703026

当前位置:首页  >  产品中心  >  半导体前道工艺设备  >  3 CVD  >  AD-230LP等离子体沉积ALD

等离子体沉积ALD

简要描述:等离子体沉积ALD AD-230LP是一种原子层沉积(ALD)系统,能够在原子水平上控制薄膜厚度。有机金属原料和氧化剂交替供给反应室,仅通过表面反应进行薄膜沉积。该系统具有负载锁定室,且不向大气开放反应室,因此能够实现薄膜沉积的优良再现性。

  • 产品型号:AD-230LP
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2024-09-06
  • 访  问  量: 120

详细介绍

1. 产品概述

AD-230LP是一种原子层沉积(ALD)系统,能够在原子水平上控制薄膜厚度。有机金属原料和氧化剂交替供给反应室,仅通过表面反应进行薄膜沉积。该系统具有负载锁定室,且不向大气开放反应室,因此能够实现薄膜沉积的优良再现性。

2. 设备用途/原理

氮化膜(AlN、SiN)的形成和低温形成的氧化膜(AlOx、SiO2)。电子设备的闸门绝缘子半导体、有机EL等的钝化膜。半导体激光器的反射面MEMS等3D结构上的沉积石墨烯上的沉积碳纳米管保护膜粉末涂层

3. 设备特点

可以在原子层水平上实现均匀的层控制。可实现高纵横比结构的共形沉积。具有优良的平面内均匀性和再现性,实现了稳定的工艺。采用反应室结构,优化了原料的气路和气体流,抑制了粒子。通过采用电容耦合等离子体(CCP)系统,使反应室体积小化,缩短了气体吹扫时间,加快了一个循环的速度。


产品咨询

留言框

  • 产品:

  • 您的单位:

  • 您的姓名:

  • 联系电话:

  • 常用邮箱:

  • 省份:

  • 详细地址:

  • 补充说明:

  • 验证码:

    请输入计算结果(填写阿拉伯数字),如:三加四=7
Baidu
map