原子层沉积ALD

1.产品概述：

TFS 200 是一款适用于科学研究和企业研发的灵活的 ALD 平台。 TFS 200 是为多用户研究环境中将可能发生的交叉污染降至低而特别设计的。

TFS 200 不仅可以在晶圆，平面物体上镀膜，还适用于粉末，颗粒，多孔的基底材料，或是有高深径比的3D物体内沉积高保形薄膜。                      

直接和远程等离子体沉积 (PEALD) 可作为 TFS 200 的标准选项。等离子体是电容性耦合(CCP)，这是当的工业标准。等离子体选件可为直径200毫米的基板（面朝上或面朝下）提供直接和远程等离子体增强沉积 (PEALD)

2.设备用途/原理：

设备用途

原子层沉积（ALD）设备主要用于半导体制造、光电子、纳米技术和材料科学等领域。它广泛应用于制造高性能电子器件、光电材料、薄膜电池、传感器和催化剂等，能够在复杂结构上沉积均匀且高质量的薄膜。

工作原理

ALD 设备通过交替引入两种或多种气相前驱体和反应气体，以原子层的方式在基材表面沉积薄膜。每个前驱体分子在基材表面吸附并反应，形成一层薄膜，然后多余的前驱体和反应产物被清除，接着引入下一种气体。这个过程持续进行，直到达到所需的薄膜厚度。由于每一层的沉积都受到严格控制，ALD 技术能实现极薄膜层的精确沉积，通常在纳米级别，确保薄膜的均匀性和致密性。

3.主要技术指标：

循环周期小于2。在特定的条件下可以小于1。

高深径比(HAR)选项适用于通孔和多孔的基底材料。

可快速加热和冷却的冷壁真空反应腔。

安装在真空反应腔的辅助接口可实现等离子体和在线诊断等。

加载锁可用于快速更换基底材料并与其他设备集成。