高真空脉冲激光溅射薄膜沉积系统

简要描述：产品概述：
高真空脉冲激光溅射薄膜沉积系统主要由溅射真空室、旋转靶台、抗氧化基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。
设备用途：
用于制备超导薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬薄膜等。广泛应用于大专院校、科研院所进行薄膜材料的科研。

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详细介绍

1.产品概述：

高真空脉冲激光溅射薄膜沉积系统主要由溅射真空室、旋转靶台、抗氧化基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。

2.设备用途：

高真空脉冲激光溅射薄膜沉积系统用于制备超导薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬薄膜等。广泛应用于大院校、科研院所进行薄膜材料的科研。

3.产品优点：

可对化学成分复杂的复合物材料进行全等同镀膜，易于保证镀膜后化学计量比的稳定。

反应迅速，生长快，通常一小时可获得一定厚度的薄膜。

定向性强、薄膜分辨率高，能实现微区沉积。

生长过程中可原位引入多种气体，对提高薄膜质量有重要意义。

容易制备多层膜和异质膜，通过简单的换靶即可实现

4.真空室结构:

球形结构

真空室尺寸:Ф300mm

限真空度:≤6.67E-5Pa

沉积源:Φ30mm,每次可装4块靶材，可实现公转换靶位；每块靶材可自转，转速5～60转/分；

样品尺寸，温度:1英寸，高800℃

占地面积（长x宽x高）:约1.8米x0.97米x1.9米

电控描述:全自动

工艺:片内膜厚均匀性：≤±5%

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