区熔晶体生长系统

产品数据概览:

材料：硅

晶体

晶体 1,100 mm

晶体拉动长度： 长达100 mm (4″)

晶体直径： 2.5 x 10-5 mbar

极限真空度： 0.5 bar(g)

发电机

输出电压： 30 kW

频率： 2.4 MHz

上轴

进料速度： 最高30 mm/min

上部旋转： 最高35 rpm

下轴

拉动速度： 最高 30 mm/min

下部旋转： 最高 30 rpm

尺寸规格

高度 6,280 mm

宽度： 2,750 mm

深度： 3,000 mm

重量（总）： 约 4,900 kg

区熔（FZ）技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性，该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入，这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此，几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量（无坩埚工艺），FZ晶体同样也适用于光伏行业。

区熔（FZ）技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比，FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化，无需使用石英坩埚（每炉次耗用一个），可实现高拉速，因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外，无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体，可以通过多次处理，显著地提高纯度。