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区熔晶体生长系统

简要描述:FZ-30和FZ-35区熔晶体生长系统专为工业生产直径达200毫米(8英寸)的单晶硅晶体而设计。根据源棒的尺寸,可以拉出长度为2000毫米的晶体。在这个过程中,晶体的直径和液态区的高度可以用摄像系统来监测。该系统采用无接触熔化工艺,通过使用涡轮分子泵和超纯氩气作为工艺气体,产生高极限真空环境,有效地防止了工艺过程中的污染。

  • 产品型号:FZ-30和FZ-35
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2024-09-05
  • 访  问  量: 123

详细介绍

FZ-30FZ-35区熔晶体生长系统中,可以分别以高达3 bar5 bar的超压产生氩气气体,用以培育大晶体。同时,上主轴和线圈都可实现自动定位。在FZ-30中,上主轴可以在XY方向上移动。两种系统类型都能够以受控方式将氮气引入工艺炉体。PVA TePla为您提供更多个性化选择,例如用于掺杂晶体的气体掺杂系统、封闭式去离子冷却水系统、源棒的修整器和调整籽晶方向的系统。

产品数据概览:

材料:硅

晶体

晶体拉动长度: 2,700 mm

晶体直径: 长达 200 mm (8")

极限真空度: 2.5 x 10-5 mbar

最大过压: FZ-30: 3.0 bar(g)

FZ-35: 5.0 bar(g)

发电机

输出电压: 120 kW

频率: 2.4 MHz

上轴

进料速度: 高达 30 mm/min

上部旋转: 高达 30 rpm

下轴

拉动速度: 最高 30 mm/min

下部旋转: 最高 30 rpm

尺寸规格

高度: 11,550 mm

宽度: 3,800 mm

深度: 4,050 mm

面积(总计): 5,000 x 6,000 mm

重量(总计): 14,000 kg区熔(FZ)技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性,该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入,这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此,几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量(无坩埚工艺),FZ晶体同样也适用于光伏行业。

区熔(FZ)技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比,FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化,无需使用石英坩埚(每炉次耗用一个),可实现高拉速,因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外,无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体,可以通过多次处理,显著地提高纯度。



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