区熔法硅芯炉

改良后的硅芯炉设计采用两个直径约为50毫米的源杆，并可以从每个源杆上拉出硅芯。

产品数据概览:

材料：硅

细杆

长度： 最长3200毫米

直径： 大约8毫米

源杆

长度： 最长 1,000 mm

直径： 100 mm (4")

极限真空度： 5 x 10-2 mbar

最大过压： 0.35 bar(g)

发电机

输出电压： 30 kW

频率： 2.8 MHz

上拉式进料

拉动速度： 最高60毫米/分钟

下拉式进料

拉动速度： 最高 10 mm/min

转速： 高达 20 rpm

尺寸规格

高度： 7,300 mm

宽度： 1,820 mm

深度: 1,250 mm

占地面积（总计）： 2,500 mm x 2,800 mm

重量（总计）： 约6,000 kg

区熔（FZ）技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性，该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入，这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此，几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量（无坩埚工艺），FZ晶体同样也适用于光伏行业。

区熔（FZ）技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比，FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化，无需使用石英坩埚（每炉次耗用一个），可实现高拉速，因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外，无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体，可以通过多次处理，显著地提高纯度。