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垂直梯度凝固法系统

简要描述:Kronos垂直梯度凝固法系统,用以解决基本工艺问题。该系统的高工作压力意味着,即使其组分具有高蒸气压的材料也可以结晶。该系统可在10-40巴的压力范围内用于不同化合物半导体的结晶。这种方法支持晶体的工业化生产,例如砷化镓(GaAs)的工业化生产可以通过在最大10巴压力的标准版设备实现,而磷化铟(InP)的生产可以在最大40巴压力的标准版设备中实现。

  • 产品型号:Kronos
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2024-09-05
  • 访  问  量: 130

详细介绍

1. 产品概述:

垂直梯度凝固法系统 Kronos 是 PVA TePla 公司推出的一种先进材料制备设备。它主要利用垂直梯度凝固技术,在特定的温度和气氛条件下,使材料从熔体中定向凝固生长,从而获得高质量、具有特定晶体结构和性能的材料。

2. 设备应用

· 半导体材料领域:用于生长半导体晶体,如硅、锗等,这些晶体是制造集成电路、电子器件的基础材料,所生长的高质量晶体可以提高半导体器件的性能和可靠性。

· 光电材料领域:可制备用于发光二极管(LED)、激光二极管等器件的材料,如砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等,有助于提升光电转换效率和发光性能。

· 太阳能电池领域:用于生产太阳能电池用的硅基材料,通过精确控制晶体生长过程,提高太阳能电池的光电转换效率和稳定性。

3. 设备特点

· 高精度温度控制:配备先进的温度控制系统,能够在整个生长过程中精确控制温度梯度,确保晶体生长的稳定性和均匀性,从而获得高质量的晶体材料。例如,在生长硅晶体时,可精确控制温度在极小的范围内波动,保证硅晶体的结构完整性和电学性能。

· 优化的生长气氛:可以精确控制生长环境中的气体成分和压力,为晶体生长创造最佳的气氛条件,有效减少杂质和缺陷的形成。比如在生长某些对氧含量敏感的晶体时,能严格控制氧气的含量,防止晶体被氧化。

· 自动化程度高:系统具备高度自动化的操作流程,从材料装填、生长参数设置到生长过程监控和结束后的处理,都可以实现自动化控制,减少了人工干预带来的误差和不确定性,提高了生产效率和产品质量的稳定性。

· 可定制化:能够根据不同用户的需求和特定材料的生长要求,进行定制化的设计和调整,满足多样化的科研和生产需求。例如,对于不同尺寸和形状的晶体生长需求,可调整设备的腔体结构和相关部件

4. 产品参数(部分为例

材料:砷化镓,磷化铟

坩埚直径:4–6"

坩埚高度:高达450 mm

炉室直径:800 mm

炉室高度:975 mm

工作压力:大40 bar

尺寸规格

高度:2,900 mm

宽度:1,650 mm

深度:1,350 mm

设备总重量:3,500 kg





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