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深硅刻蚀机

简要描述:深硅刻蚀机PSE V300主要用于12英寸深硅刻蚀,同时兼具Bosch/Non-Bosch工艺,实现多工艺领域覆盖。该机台针对Bosch循环工艺方式采用专业先进的快速响应硬件配置及软件流程控制,结合先进的工艺技术,可实现超高深宽比下良好的工艺性能,配置多腔平台,满足大产能量产使用需求。

  • 产品型号:PSE V300
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2024-09-06
  • 访  问  量: 204

详细介绍

1.产品概述:

PSE V300主要用于12英寸深硅刻蚀,同时兼具Bosch/Non-Bosch工艺,实现多工艺领域覆盖。该机台针对Bosch循环工艺方式采用专业先进的快速响应硬件配置及软件流程控制,结合先进的工艺技术,可实现超高深宽比下良好的工艺性能,配置多腔平台,满足大产能量产使用需求。

2.设备应用

晶圆尺寸

8/12 英寸兼容

适用材料

硅、氧化硅、氮化硅

适用工艺

2.5D&3D TSV刻蚀、深槽隔离/电容刻蚀、MEMS刻蚀

适用领域

集成电路、先进封装、功率半导体、图像传感器、微机电系统

3.特色优点

刻蚀方式:采用快速气体和射频切换控制系统结合的方式,能够在高深宽比深硅刻蚀中精准控制侧壁形貌,实现侧壁无损伤和线宽无损伤,且刻蚀均匀性、选择比更佳 135

结构设计:每腔单片设计,具有更好的气流场均匀性和真圆度工艺表现,可确保半导体器件制造工艺的质量和稳定性更优。并且机台可同时配置 6 个腔室,产能和性能表现优异 15

晶圆边缘保护:通过优化机台晶圆边缘保护装置,有效提高了产品良率,其效果优于当前行业产品指标

工艺应用:全面应用于国内各大 12 英寸主流 fab 厂,不仅是 TSV 量产生产线主力机台,还扩展至功率器件、CIS 等领域。例如,在 TSV 工艺中表现出色;在 2.5D 工艺中,可提供能满足 BVR(背面通孔暴露)和 BFR(背面平整暴露)不同工艺需求的刻蚀工艺解决方案

 4.设备特点

兼容Bosch/Non-Bosch工艺,实现多工艺领域覆盖

优化的进气系统和ESC系统,提高均匀性

快速进气系统,确保刻蚀速率高,Scallop

实现高深宽比的形貌控制



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