1、Nikon S206D扫描式光刻机 光源波长248nm 分辨率优于0.12µm 主要用于8寸及12寸生产线 广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域 2、产品详情 主要技术指标 分辨率0.12µm N.A.0.82 曝光光源248nm 倍率4:1 最大曝光现场25mm*33mm 对准精度 20nm

1、Nikon S205C扫描式光刻机 光源波长248nm 分辨率优于0.15µm 主要用于8寸及12寸生产线 广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域 2、产品详情 主要技术指标 分辨率0.15µm N.A.0.75 曝光光源248nm 倍率4:1 最大曝光现场25mm*33mm 对准精度 LSA：35nm FIA：40nm

1、Nikon S204B扫描式光刻机 光源波长248nm 分辨率优于0.18µm 主要用于4寸、6寸及8寸生产线 广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域 2、产品详情 主要技术指标 分辨率0.18µm N.A.0.68 曝光光源248nm 倍率4:1 最大曝光现场25mm*33mm 对准精度 LSA：40nm FIA：45nm

1、Nikon S203B扫描式光刻机 光源波长248nm 分辨率优于0.2µm 主要用于4寸、6寸及8寸生产线 广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域 2、产品详情 主要技术指标 分辨率0.2µm N.A.0.68 曝光光源248nm 倍率4:1 最大曝光现场25mm*33mm 对准精度 LSA：45nm FIA：50nm

1、Nikon EX14C步进式光刻机 光源波长248nm 分辨率优于0.25µm 主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生产线 广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域 2、产品详情 主要技术指标 分辨率0.25µm N.A.0.6 曝光光源248nm 倍率5:1 最大曝光现场22mm*22mm 对准精度 LSA：55nm FIA：65nm

1、Nikon EX12B步进式光刻机 光源波长248nm 分辨率优于0.3µm 主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生产线 广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域 2、产品详情 主要技术指标 分辨率0.3µm N.A.0.55 曝光光源248nm 倍率5:1 最大曝光现场22mm*22mm 对准精度 LSA：55nm FIA：65nm