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1、Nikon SF120/130步进式光刻机 光源波长365nm 分辨率优于0.28µm 主要用于6寸、8寸及12寸生产线 广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域 2、产品详情 主要技术指标 分辨率0.28µm N.A.0.62 曝光光源365nm 倍率4:1 最大曝光现场25mm*33mm 对准精度LSA：40nm FIA：45nm
更新时间：2024-09-04
型号：Nikon SF120/130
厂商性质：经销商
浏览量：385
1、Nikon NSR 2205i14E步进式光刻机 光源波长365nm 分辨率优于0.35µm 主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生产线， 广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域 2、产品详情 主要技术指标 分辨率0.35µm N.A.0.63 曝光光源365nm 倍率5:1 最大曝光现场22mm*22mm 对准精度 LSA：55nm FIA：65nm
更新时间：2024-09-04型号：Nikon NSR 2205i14E厂商性质：经销商浏览量：310
1、Nikon NSR 2205i12D步进式光刻机 光源波长365nm 分辨率优于0.4µm 主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生产线 广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域 2、产品详情 主要技术指标 分辨率0.4µm N.A.0.63 曝光光源365nm 倍率5:1 最大曝光现场 22mm*22mm 对准精度 LSA：60nm FIA：70nm
更新时间：2024-09-04型号：Nikon NSR 2205i12D厂商性质：经销商浏览量：336
1、Nikon NSR 2205i11D步进式光刻机 光源波长365nm 分辨率优于0.4µm 主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生产线 广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域 2、产品详情 主要技术指标 分辨率0.4µm N.A.0.63 曝光光源365nm 倍率5:1 最大曝光现场22mm*22mm 对准精度 LSA：75nm FIA：80nm
更新时间：2024-09-04型号：Nikon NSR 2205i11D厂商性质：经销商浏览量：447
1、Nikon NSR 2005i10C步进式光刻机 光源波长365nm 分辨率优于0.45µm 主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生产线 广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域 2、产品详情 主要技术指标 分辨率0.45µm N.A.0.57 曝光光源365nm 倍率5:1 最大曝光现场20mm*20mm 对准精度 LSA：100nm FIA：110nm
更新时间：2024-09-04型号：Nikon NSR 2005i10C厂商性质：经销商浏览量：365
1、Nikon NSR 2005i9C步进式光刻机 光源波长365nm 分辨率优于0.45µm 用于2寸、4寸、6寸、8寸生产线 广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域 2、产品详情 主要技术指标 分辨率0.45µm N.A.0.57 曝光光源365nm 倍率5:1 最大曝光现场20mm*20mm 对准精度 LSA：120nm FIA：130nm
更新时间：2024-09-04型号：Nikon NSR 2005i9C厂商性质：经销商浏览量：444
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