欢迎来到深圳市矢量科学仪器有限公司网站!
咨询热线

19842703026

当前位置:首页  >  产品中心  >  半导体前道工艺设备  >  1 光刻设备

  • MA12有掩膜光刻机

    1.手动、半自动、全自动有掩膜光刻机 2.高分辨率掩模对准光刻,特征尺寸优于0.5微米 3.基片尺寸可满足4、6、8、12英寸 4.经过特殊设计,方便处理各种非标准基片、例如混合、高频元件和易碎的III-V族材料,包括砷化镓和磷化铟 5.设备可通过选配升级套件,实现紫外纳米压印光刻

    更新时间:2024-09-06
    型号:MA12
    厂商性质:经销商
    浏览量:987
  • UV Litho-ACA无掩膜/激光直写光刻机

    无掩膜/激光直写光刻机 参数:1. 光源:375 nm、385 nm、405 nm 激光器 2. 线宽:0.5μm、0.6μm、1.0μm、1.5μm3. 光刻效率:可达到3000mm2/min@5μm4. XY行程:55~205mm5. 样品尺寸:最小3mm*3mm 最大8 inch6.应用领域:生物芯片、功率芯片光刻、掩膜版制造、3D衍射光学元件、*进芯片封装、光通讯。

    更新时间:2024-09-06
    型号:UV Litho-ACA
    厂商性质:经销商
    浏览量:1998
  • eLINE Plus电子束光刻系统

    电子束光刻系统 技术参数: 1.最小线宽≤8nm 光栅周期≤40nm 2.50KV加速电压下,写场可在0.5μm~500μm的范围内连续可调 3.肖特基热场发射电子束源,最高加速电压≥50kv,束电流范围至少为50pA~40nA,最大束电流≥40nA

    更新时间:2024-09-06
    型号:eLINE Plus
    厂商性质:经销商
    浏览量:951
  • GL6 R&D纳米压印系统

    纳米压印系统 简介:1. 兼容基底尺寸:直径≤100mm2. 支持基底材料:硅片、玻璃、石英、塑料、金属等3. 纳米压印技术:旋涂胶基底高精度压印&点胶自动找平压印、旋涂胶基底压印、点胶自动找平压印模式4. 压印精度:优于10nm5. 结构深宽比:优于10:1

    更新时间:2024-09-06
    型号:GL6 R&D
    厂商性质:经销商
    浏览量:1046
  • customized等离子清洗&去胶机

    等离子清洗&去胶机 产品简介: 1) 用途:材料清洗、材料活化、材料刻蚀、材料涂覆 (2) 80 kHz:功率 1000 或 3000 W (3) 13.56 MHz:功率 0 - 300 W;0 - 600 W;0 - 1000 W (4) Hz:功率 0 - 1200 W (5) 所有发生器均为 0 - 100% 无级可调型 (6) 圆形不锈钢,带铰链的门(约 φ400 mm,

    更新时间:2024-09-06
    型号:customized
    厂商性质:经销商
    浏览量:779
  • WS-1000MH湿法匀胶工作台

    Laurell的WS-1000MH系列微型湿法匀胶工作台适用于更狭小的空间和较小的预算。这个简单的工作站被提炼出真正的湿式工作站必须具备的精髓,以实现最大的经济性。

    更新时间:2024-09-05
    型号:WS-1000MH
    厂商性质:经销商
    浏览量:151
共 82 条记录,当前 1 / 14 页  首页  上一页  下一页  末页  跳转到第页 
Baidu
map