多腔等离子体工艺系统-概述： 1.方案是适用于最大 8 吋晶圆的多腔等离子体沉积/刻蚀工艺系统 2.系统可用于研发和小批量生产 3.系统兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圆和不规则碎片；不同尺寸样片之间的切换、无需反应腔的开腔破真空

低压化学气相沉积系统LPCVD 简介： 1. 满足石墨烯和碳纳米管研究的高温和快速冷却要求 2. 直径200毫米的石英室 3. 内部石英管的设计便于拆卸和清洗 4. 基片尺寸可达直径150毫米 5. 三区电阻炉，150毫米的均匀温度区

MOCVD设备是通过将反应物质以有机金属化合物气体分子的形式，经载带气体送到反应室，进行热分解反应而生长出薄膜材料。应用方向：Ga2O3,GaN, InP, GaAs, InSb, GaInNAs, II-VI等。

等离子增强化学气相沉积PECVD(1) 应用方向：高质量PECVD沉积氮化硅和二氧化硅，用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途；用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀(2) 电阻丝加热电极，最高温度可达400°C或1200°C(3) 实时监测清洗工艺， 并且可自动停止工艺(4) 晶圆最大可达200mm，可快速更换硬件以适用于不同尺寸的晶圆。