GSE C200 多功能刻蚀机等离子体源设计，保证良好的刻蚀均匀性.GSE C200采用高密度等离子体源，刻蚀速率高、均匀性好、颗粒控制能力强、易维护、性能稳定。其在硅、氧化硅、氮化硅、氮化镓、砷化镓、磷化铟、铌酸锂、金属、有机物等多种材料的刻蚀上性能优良。本刻蚀机已进入多家IC Fab主流产线以及化合物等新兴应用量产产线，具有快速导产能力，同时针对大学、科研院所提供高性价比配置。

多腔等离子体刻蚀系统-概述： 1.方案是适用于最大 8 吋晶圆的多腔等离子体刻蚀工艺系统 2.系统可用于研发和小批量生产 3.系统兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圆和不规则碎片；不同尺寸样片之间的切换、无需反应腔的开腔破真空

CIF推出RIE反应离子刻蚀机，采用RIE反应离子诱导激发方式，实现对材料表面各向异性的微结构刻蚀。特别适合于大学，科研院所、微电子、半导体企业实验室进行介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀等方面研究。使用成本低，性价比高，易维护，处理快速高效。适用于所有的基材及复杂的几何构形进行RIE反应离子刻蚀。

提供深硅蚀刻（DSiE）领域的MEMS，封装和纳米技术的广泛应用，从光滑侧壁工艺到高刻蚀速率腔刻蚀、高深宽比工艺和锥形通孔刻蚀，不需要更换腔室硬件就可以实现。

离子束刻蚀系统IBE 的灵活性、均匀性俱佳且应用范围广。我们的设备具有灵活的硬件选项，包括直开式、单衬底传送模式和盒式对盒式模式。系统配置与实际应用紧密协调，以确保获得速率更快且重复性更好的工艺结果。

可为多种材料提供各向异性干法刻蚀工艺，兼容200mm以下所有尺寸的晶圆，快速更换到不同尺寸的晶圆工艺，电极的适用温度范围宽，-150°C至400°C。