Herent® Chimera® M 金属刻蚀设备，为针对12英寸IC产业0.18微米以下后道高密度铝导线互连工艺所开发的专用产品， 同时也可应用于铝垫（Al pad）刻蚀。该设备承袭了 Chimera® A 的先进设计理念，具有出色的均匀性调控手段， 可以为客户提供高性价比的解决方案。

Herent® Chimera® A 金属硬掩膜刻蚀设备，为针对 12 英寸 IC 产业的后道铜互连中氮化钛（TiN）金属硬掩膜刻蚀（metal hardmask open） 这一重复道次高的工艺所开发的专用产品，以满足 12 英寸产线的各种硬质掩膜刻蚀需求。此外，Chimera® A 硬掩模刻蚀腔可作为 LMEC-300™ 设备的选配模块，实现从金属硬掩模刻蚀到器件功能层刻蚀的一体化工艺。

Lorem® A 系列常规 IBS 设备，由离子源栅极引出正离子并加速，中性束流撞击样品表面，溅射形成刻蚀图像。由于等离子体的产生远离晶圆空间，起辉不受非挥发性副产物的影响。这种物理方案，几乎可以用来刻蚀任何固体材料，包括金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体等。栅网拉出的离子束的能量和密度可以独立控制，提升了工艺可控性；载片台的角度可调整，实现离子束倾斜入射，可用于特殊图案的刻蚀，

Pangea®A系列常规IBS设备由离子源栅极引出正离子并加速，中性束流撞击样品表面，溅射形成刻蚀图像。由于等离子体的产生远离晶圆空间，起辉不受非挥发性副产物的影响。这种物理方案，几乎可以用来刻蚀任何固体材料，包括金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体等。栅网拉出的离子束的能量和密度可以独立控制，提升了工艺可控性；载片台的角度可调整，实现离子束倾斜入射，可用于特殊图案的刻蚀，也适用于

LMEC-300™ 是鲁汶仪器针对特种金属膜层刻蚀而推出的 12 英寸集成设备，应用于新兴存储器件的制备。此类器件的核心功能单元含有成分复杂的金属叠层，例如磁存储器的磁隧道节（MTJ）、相变存储器中的合金相变层、阻变存储器中的阻变叠层。其副产物不易挥发，图形化挑战很大。 LMEC-300™ 反应离子刻蚀与离子束刻蚀协同工艺，可规避 RIE 路径的侧壁沾污问题，也可突破 IBS 路径的工艺线宽局

满足半导体制造中湿法刻蚀工艺，单片加工，适用于SiO2，SiN，Polysilicon和各种金属层的刻蚀，清洗等工艺流程。