等离子蚀刻系统 Etchlab 200 具有经济高效的 RIE 直接加载的优点。 SENTECH Etchlab 200 RIE等离子蚀刻系统代表了一系列直接加载等离子蚀刻工具，结合了RIE平行板电极设计的优点和具有成本效益的直接加载设计。该系统的特点是简单快速地将样品从零件加载到直径为 200 mm 或 300 mm 的晶圆上，直接加载到电极或载体上。灵活性、模块化和占地面积小是 SENTEC

SENTECH SI 500 ICP-RIE等离子体蚀刻系统使用具有低离子能量的电感耦合等离子体 （ICP） 源，可实现低损伤蚀刻和纳米结构。

SI 500 C 代表了专为低温蚀刻而设计的电感耦合等离子体 （ICP） 处理的前沿。SENTECH SI 500 C 低温 ICP-RIE 等离子体蚀刻系统代表了电感耦合等离子体 （ICP） 处理的前沿技术，其最宽温度范围为 -150 °C 至 150 °C。 该工具包括 ICP 等离子体源 PTSA、一个动态温控基板电极、一个受控的真空系统和一个非常易于操作的用户界面。灵活性和模块化是

ALE是一种先进的刻蚀技术，可以针对较浅的微结构进行出色的深度控制。 随着器件微结构尺寸越来越小，要达到器件的更高性能可以通过ALE技术所具有的精度来实现。 在如今的先进微电子器件制造中，高保真度的图案转移（刻蚀）是至关重要的。随着特征尺寸缩小至亚10纳米级别，以及新型器件采用超薄的二维材料，对原子尺度保真度的需求不断增加。 原子层刻蚀(ALE)技术克服了传统（连续）刻蚀技术在原子尺度上的局限

新型 Lancer™ 离子束蚀刻 （IBE） 系统专为开发和生产智能手机、自动驾驶汽车和其他可实现连接性、功能性和移动性的“物联网”设备中的下一代电子设备而设计。

对应光学器件、MEMS制造的干法刻蚀装置NLD-5700 对应光学器件、MEMS制造的干法刻蚀装置NLD-5700是搭载了磁性中性线（NLD- neutral loop discharge）等离子源的量产用干法刻蚀装置。（可实现产生低压、低电子温度、高密度的等离子）