RIE-200C RIE等离子刻蚀设备是在拥有丰富交货业绩的CCP RIE系统 “RIE-10NR “的基础上开发的量产型盒式装载系统。该系统可对Si、Poly-Si、SiO₂、SiN等各种硅薄膜进行高精度蚀刻和灰化。采用双盒双臂机械手，PLC控制全自动操作，高性能存储工艺参数，实现了高产量。

RIE-200NL是一种负载锁定型的反应离子蚀刻系统，它提高了工艺的可重复性，并允许腐蚀性气体化学。优化的工艺室设计可在ø8 “晶圆或ø220mm小晶圆的载盘上提供优异的均匀性。该系统可实现精确的侧壁轮廓控制和材料之间的高蚀刻选择性。RIE-200NL设计时尚、紧凑，只需小的洁净室空间。

高密度等离子体刻蚀设备采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一套完整的生产系统，具有优良的工艺重复性和稳定性。

RIE-10NR是一种新型的低成本、高性能的全自动RIE等离子刻蚀设备，它能满足非腐蚀性气体化学苛刻的工艺要求。计算机化的触摸屏为参数控制和存储提供了一个用户友好的界面。该系统可实现精确的侧壁轮廓控制和材料间的高蚀刻选择性。RIE-10NR具有时尚、紧凑的设计，需要小的洁净室空间。

RIE-230iP是以电感耦合等离子体为放电方式，等离子体（ICP）刻蚀设备高速进行各种材料的超精细加工的负载锁定型ICP蚀刻系统。该系统通过采用龙卷风式线圈电，高效地产生稳定的高密度等离子体，可对硅及各种金属薄膜和化合物半导体进行高精度的各向异性蚀刻。

RIE-230iPC是以电感耦合等离子体为放电方式，高速进行各种材料的超精细加工的盒式ICP蚀刻系统。该系统通过采用龙卷风式线圈电，高效地产生稳定的高密度等离子体，实现了对硅、各种金属薄膜和化合物半导体的高精度各向异性蚀刻。此外，ø230mm的托盘可同时处理多种化合物半导体。