RIE-400iP是用于ø4 “晶圆的负载锁定型蚀刻系统，等离子体（ICP）刻蚀设备可对各种半导体和绝缘膜进行高精度、高均匀性加工。采用龙卷风线圈的电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma)作为放电形式，可产生均匀、高密度的等离子体。

RIE-350iPC是一种盒式装载电感耦合等离子体(ICP)蚀刻设备，可处理多达ø350毫米的载盘，用于多晶圆批量处理。该系统为各种蚀刻应用提供了坚固可靠的硬件和工艺控制，具有较高的生产率，如功率器件、微型LED、VCSEL、LD、电容器和射频滤波器。

高密度等离子体刻蚀设备系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一套完整的生产系统，具有优良的工艺重复性和稳定性。

RIE-400iPB是一款电感耦合等离子体放电设备，用于博世MEMS和电子元件工艺中的高速硅深孔加工。RIE-800iPB是为研究和开发目的而改装的。该系统由Robert Bosch GmbH（德国）授权，能够对MEMS和TSV所需的硅进行高速和高各向异性蚀刻。

Samco 的 RIE-800iPB 是一种电感耦合等离子体刻蚀设备，使用高密度等离子体进行 MEMS 和 TSV 应用所需的深度硅蚀刻。RIE-800iPB是为Bosch工艺设计的用硅蚀刻系统（由Robert Bosch GmbH授权）。该系统的反应室、电、平台和真空设计克服了在竞争系统中遇到的问题，可实现高速(约50 μm/min)、无倾斜、高剖面蚀刻，具有行业先的

RIE-800BCT是使用电感耦合等离子体作为放电形式的生产型硅DRIE系统。这种高性能系统能够进行高纵横比处理（超过100）和低扇形处理，同时保持高蚀刻率和选择性。