RIE-802BCT深硅刻蚀设备是采用电感耦合等离子体作为放电形式的两个反应室的量产用硅深孔系统。标准配置有空气盒和晶圆边缘保护环，以及高精度的晶圆对准器。该高性能系统能够进行高长宽比加工（超过100）和低扇形加工，同时保持高蚀刻率和抗蚀剂选择率。

ELEDE® 380系列 芯片刻蚀机，先进的等离子体发生装置，适用多种材料刻蚀，工艺窗口宽。

GDE C200系列 高密度 刻蚀机，等离子体源和频率设计，等离子体密度高，适用于强键合材料刻蚀。

NMC 508系列 ICP刻蚀机是电感耦合高密度等离子体（Inductively Coupled Plasma, ICP）干法刻蚀机，具有高精度、高选择性和高效率等特点。该设备广泛应用于半导体制造、微电子制造、光电子制造等领域，特别是在集成电路、微机电系统（MEMS）、光电子器件等制造过程中发挥着重要作用。

NMC 612G 12英寸金属刻蚀机，可用于铝、硅，氧化物、钼、氧化铟锡等多种材料刻蚀。

NMC 508系列 CCP介质刻蚀机，多频解耦设计，实现优异的均匀性及高深宽比介质刻蚀。