深硅刻蚀机PSE V300主要用于12英寸深硅刻蚀，同时兼具Bosch/Non-Bosch工艺，实现多工艺领域覆盖。该机台针对Bosch循环工艺方式采用专业先进的快速响应硬件配置及软件流程控制，结合先进的工艺技术，可实现超高深宽比下良好的工艺性能，配置多腔平台，满足大产能量产使用需求。

深硅刻蚀机HSE P300主要用于12英寸硅刻蚀。采用Cluster结构布局，能够减小占地，提升产能。系统主要由传输模块、工艺模块、灰区部件、电源柜等组成。可实现自动化地上下料及自动工艺。HSE M200主要用于4/6/8英寸深硅干法刻蚀工艺。可以配置手动及自动传输系统。产品配置高密度双立体等离子体源，中心边缘进气，快速气体切换，低频脉冲下电极系统，可以实现高速、高深宽比及极小的侧壁粗糙度。

SENTECH 集群系统包括等离子体蚀刻和/或沉积模块、一个转移室和一个真空负载锁或盒式站。包括搬运机器人在内的转移室有三到六个端口。最多可以使用两个盒式磁带站来提高吞吐量。

SENTECH AL 实时监测器是一种经过验证的光学诊断工具，可实现单个 ALD 和 ALE 周期的超高分辨率。主要应用是在不破坏真空的情况下分析薄膜特性（生长速率、厚度、折射率以及蚀刻速率），在短时间内开发新工艺，以及实时研究 ALD 和 ALE 周期期间的反应机理。

SENTECH SI 500 CCP 系统使用动态温度控制和氦背冷却，代表了材料蚀刻灵活性的优势。等离子体蚀刻过程中的衬底温度设置和稳定性是高质量蚀刻的严格标准。具有动态温度控制功能的衬底电极与氦气背面冷却和晶圆背面温度传感相结合，可在很宽的温度范围内提供出色的工艺条件。

SENTECH SI 591 紧凑型 RIE 等离子蚀刻系统具有负载锁定功能，是氯基和氟基 RIE 的紧凑型解决方案。